flashflexQuella espressa nel titolo potrebbe smettere presto di divenire fantasia per trasformarsi in realtà. È ancora a livello di sperimentazione, di ricerca, ma il prototipo della memoria a nastro in plastica flessibile già esiste, e funziona

Fonte: The New Blog Times
di Marco Valerio Principato

Si tratta dell’opera partorita dal professor Takao Someya, professore di elettronica organica presso il Dipartimento di Ingegneria Elettrica della Scuola di Ingegneria dell’Università di Tokio, il cui team ha concepito un particolare strato isolante ibrido polimerico su cui si deposita un ossido metallico.

Questo strato isola il gate metallico in cui le cariche elettriche sono accumulate. Applicando un voltaggio i gate metallici accumulano cariche o le cedono, rappresentando così gli 1 e gli zeri binari, esattamente come nelle memorie Flash “tradizionali”. Meglio funziona lo strato isolante, più a lungo possono essere immagazzinate le cariche prima che i dati da esse rappresentati degradino.

Il team ha iniziato depositando sul supporto alcuni gate metallici. Successivamente, un sottile strato di ossido d’alluminio è depositato sulla sommità dello strato e il film plastico viene immerso in una soluzione contenente un polimero isolante, che si auto-assembla sulla superficie di ossido d’alluminio.

A prima vista, spiega Technology Review, potrebbe lasciare perplessi la durata del ciclo di vita: sono possibili circa 1000 cicli di lettura e scrittura, contro i 100mila delle memorie al silicio. “L’attrattiva è il costo”, dice Victor Zhirnov, program manager di Semiconductor Research, “ma le memorie organiche non funzionano bene come quelle al silicio”, fa notare.

Secondo il dirigente le novità più probabili a decollare sono altre, come le memorie a cambiamento di fase, sviluppate da Samsung e Intel, capaci di durare anch’esse per 100mila cicli di Input/Output.

Di diverso parere Ethan Miller, professore di informatica presso l’Università della California di Santa Cruz, secondo cui questo tipo di memoria potrebbe farsi largo nella e-paper, la “carta elettronica” utilizzata negli ebook-reader. “Supponete di avere un foglio con memoria e sensori di pressione al suo interno. Ci potreste scrivere e memorizzare dati senza aver bisogno di alcuno scanner”, spiega il docente.

Il prototipo è stato illustrato sulla rivista Science, dove è stata dimostrata l’integrazione di 676 celle di memoria in uno strato ricoperto da un sensore di pressione in gomma. Lo strato complessivo, in tutto spesso 700 micrometri, è riuscito a registrare la pressione degli oggetti poggiati al di sopra e li ha mantenuti memorizzati per un giorno.

Dunque, senz’altro c’è da perfezionare molto, ma secondo il professor Yang Yang, professore di ingegneria e scienze dei materiali all’Università della California di Los Angeles, questa scoperta è una pietra miliare: “i materiali organici offrono la possibilità di ridurre i costi delle memorie”, sostiene il luminare. Tra l’altro, ribadisce Yang, “ci sono segmenti in cui il silicio non entrerà mai, come quello delle applicazioni low-end dove si desidera della memoria usa e getta. (Queste memorie, ndB) potrebbero essere usate per registrare la temperatura, parametri ambientali, o incorporate in confezioni farmaceutiche o alimentari per scopi di tracciamento”.

Insomma, si avvicina il momento: anziché esordire con “buongiorno, mi da tre chip di memoria” si dirà: “buongiorno, mi da un rotolo di memoria”. Magari sentendosi rispondere: “quanti metri”, anziché “quanti giga“.